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uvled光源照射強度的因素是什么?

作者:晟駒uvled 發(fā)布日期 2020-10-06 瀏覽:1182


    UV發(fā)光機構(gòu)PN結(jié)終端電壓構(gòu)成了一個特定的屏障,當(dāng)勢壘電壓時,當(dāng)勢壘向下時,P和N區(qū)域的大多數(shù)載波會擴散到另一邊。由于電子的流動比孔的流動大得多,所以在P區(qū)擴散中會有大量的電子,構(gòu)成P區(qū)域的少數(shù)載波注入。這些電子與價帶上的孔洞結(jié)合在一起,當(dāng)重新組合時獲得的能量以光能的形式釋放出來。這就是PN結(jié)光的原理。    


    uvled紫外線冷光源發(fā)光效率通常被稱為元件的外部量子效率,這是元件內(nèi)部量子效率的乘積,以及元件的去除效率。所謂元件的內(nèi)部量子效率實際上是元件本身的電光轉(zhuǎn)換效率,主要與元件本身的特性有關(guān)(如組件材料的能量帶、缺陷、雜質(zhì))、元件的組成和結(jié)構(gòu)。 而去除該成分的效率指的是在吸收、折射和在組裝過程中產(chǎn)生的光子的反射后,可以測量出的光子數(shù)量。因此,與萃取效率有關(guān)的因素包括組件材料本身的吸收、裝配的幾何形狀、組裝與封裝材料的折射率差以及組件結(jié)構(gòu)的散射特性。元件內(nèi)部量子效率的乘積和元件的 卸效率是整個組件的發(fā)光效應(yīng),即元件的外部量子效率。早期組件開發(fā)集中在改善其內(nèi)部量子效率的主要方法是提高質(zhì)量的障礙和改變結(jié)構(gòu)的障礙,因此,電是不容易轉(zhuǎn)換成熱量,然后間接提高紫外LED發(fā)光效率,可以約70%的內(nèi)部量子效率理論,但這種內(nèi)部量子效率幾乎是接近理論極限。在這種情況下,通過提高元件的內(nèi)部量子效率來提高元件的總分量是不可能的,因此元件的提取效率成為一個重要的研究課題。目前的方法主要是:顆粒形狀變化-尖端結(jié)構(gòu),表面粗糙度技術(shù)。      

    uvled紫外線冷光源電特性電流控制裝置,其負(fù)載特性與UI曲線的PN結(jié)相似,uvled紫外線冷光源正向電壓的很小變化可以導(dǎo)致正向電流(指數(shù)級)大變化,反向漏電電流很小,擊穿電壓。在實際使用中,應(yīng)選擇。隨著溫度的升高,UV引導(dǎo)的電壓降低,溫度系數(shù)為負(fù)。紫外線引導(dǎo)能量消耗,部分轉(zhuǎn)化為光能,這是我們需要的。其余的轉(zhuǎn)化為熱量,從而使結(jié)溫上升。      


    紫外LED光學(xué)特性UV LED紫外線冷光源提供半寬度的單色光,因為半導(dǎo)體能與溫度上升,所以它的峰值波長隨溫度升高而增加,也就是說,紅移。UV發(fā)光亮度與正向電流成比例。電流的增加,光亮度也近似增加。此外,明亮的亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。當(dāng)環(huán)境溫度高時,復(fù)合效率降低,光亮度降低。


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